R6576ENZ4C13-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件在高电压条件下仍能维持较低的导通损耗，同时较宽的栅极驱动窗口有助于提升开关过程的稳定性与抗干扰能力。适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统，如高频开关电源、可再生能源并网设备及高密度电力电子模块。
