C3M0045065L-TR-HXY_TOLLS_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLLS 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:58mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的漏极电流额定值和650V的漏源耐压，导通电阻为58mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V下可正常工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关过程中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子装置中，能够有效支持紧凑型电路设计与高效能量管理。
