RB225T100-HXY_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:30A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.82V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.82V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流（IR）为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、多路输出电源以及需要双通道同步续流功能的电路结构。
