NVD4C05NT4G-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为3毫欧。低导通电阻有助于在大电流应用中有效抑制功率损耗，提升系统效率并减少发热。适用于高效率电源模块、电池供电设备、电机驱动电路以及需要高开关频率和高电流承载能力的电子系统，能够在持续高负载条件下保持稳定工作性能。
