SPD04N60C3BTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:11A 参数2：VDSS:900V 参数3：RDON:712mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的连续漏极电流，漏源电压额定值为900V，导通电阻为712mΩ。栅源电压工作范围为-8V至@0V，适用于需要高耐压与可靠开关性能的场合。凭借碳化硅材料的特性，器件在高温和高频条件下仍能维持较低的导通与开关损耗，适合用于高效率电源、可再生能源转换系统及中高功率电力电子设备中的关键开关功能。
