RJK5030DPD-00#J2-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:5A 参数2：VDSS:500V 参数3：RDON:1300mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V，连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDS(on)）为1300毫欧。器件在高电压条件下仍能维持稳定的开关性能，适用于对耐压能力有一定要求的电子系统。其结构特性使其在电源转换、充电设备、照明控制以及通用开关电路中能够可靠工作，满足多种常规电子装置对功率器件的基本需求。
