TK65E10N1,S1X_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。器件适用于高电流、中等电压的应用场景，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率。结构上采用标准封装形式，便于在高功率密度电路中实现紧凑布局。该MOSFET可有效支持电源转换、电机驱动及各类开关应用中的高效能量控制。
