VF30100C-M3/4W-HXY_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:30A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.82V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流IF为30A，最大反向电压VR为100V。其典型正向压降VF为0.82V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流IR为100μA，体现出良好的阻断能力。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及需要双路同步续流的电路拓扑中。
