FDP045N10A_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻为4.1毫欧。较低的导通电阻有助于在大电流工作状态下减少功率损耗，提升整体效率。适用于高效率电源系统、电机控制以及各类高频开关电路，在维持稳定性能的同时，有助于简化散热设计并提高功率密度。
