NVTFS4C305NETAG-YE_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至2.9毫欧。其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗，在高电流应用中维持较低的温升。适用于电源转换、同步整流、电机驱动以及高效率开关电路等场景。器件支持快速开关动作，能够在高频工作条件下保持良好的性能，适合对能效和空间布局有较高要求的电子系统。
