FDMS8660AS_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备150A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。凭借极低的导通电阻与高电流承载能力，器件在大功率开关应用中可显著降低导通损耗，提升系统效率。适用于高密度电源转换、高效电机控制及各类对热性能和能效要求严苛的电子设备中。
