NVMFS4C03NWFT3G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持150A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为1.4毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。凭借极低的导通电阻，器件在高电流工作时能有效抑制功耗与温升，适用于大功率电源转换、高效电机驱动及同步整流等对能效和热性能要求严苛的场合。其结构设计有利于实现快速开关响应，有助于提升整体电路效率与动态性能。
