TK34E10N1,S1X_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:8.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为8.5毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。其低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，配合较高的电压和电流额定值，适用于高效率电源转换、电机驱动及各类需要稳定功率开关性能的电子设备中。器件在高频开关条件下仍能维持良好的热稳定性和电气特性。
