MBR30H100CTG-HXY_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:30A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.8V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为30A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在高电流应用中可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出合理的反向阻断能力。器件具备250A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）耐受能力，适用于高频整流、大电流电源输出以及对热性能和效率有明确要求的电力电子系统。
