SPP15N60CFDHKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:306mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(ON)）为306mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，并具有良好的高温工作稳定性。适用于高效率电源、可再生能源系统及紧凑型电力转换设备等对性能和空间有较高要求的场合。
