TK5P65W,RQ_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:5.3A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:820mR 参数4：VGS:-8/+19V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和5.3A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。栅源电压范围为-8V至!9V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备较高的开关效率与热稳定性，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源转换场景，如高频开关电源、光伏逆变系统及高效率充电装置等。
