PSMN4R8-100PSEQ-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET额定漏极电流ID为120A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDS(ON)典型值为4.1毫欧。其低导通电阻有助于在大电流工作时显著降低导通损耗，提升整体能效。器件结构支持高效散热，在高负载条件下仍可维持稳定性能。适用于需要高电流处理能力与低功耗特性的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景，能够可靠应对严苛的电气工作环境。
