IPD04N03LBG-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.8毫欧。其低RDS(on)特性有助于减少导通损耗，提升系统效率，在高电流开关应用中表现优异。器件适用于对功率密度和热性能要求较高的场合，可有效支持电源管理、电机驱动及各类高效能电子设备中的功率转换需求。
