STF12N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:7.1A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:410mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为7.1A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为410mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、光伏逆变、不间断电源及类似对能效和热性能有较高要求的电力电子系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，有助于简化控制电路设计。
