RB218BM200FHTL-HXY_TO-252-2L_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：肖特基二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:20A 参数2：VR:200V 参数3：VF:0.92V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的正向电流（IF）和200V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.92V，典型反向漏电流（IR）为100μA，在浪涌条件下可承受高达150A的非重复峰值正向电流（IFSM）。此类结构适用于需要双路同步整流或极性保护的电源转换电路，凭借较低的导通压降和良好的瞬态耐受能力，有助于提升系统效率与可靠性。
