TPH1R104PB,L1XHQ_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:219A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:1.2mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备219A的连续漏极电流（ID），最大漏源电压（VDSS）为40V，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧，栅源电压（VGS）额定值为±20V。其超低导通电阻有效降低导通损耗，适合在高电流、高效率要求的功率转换场合中使用。典型应用包括开关电源、电机驱动、电池充放电控制及大电流负载开关等场景，能够在紧凑电路布局中维持稳定可靠的电气性能。
