TSM040N03CP_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3毫欧。其低导通电阻有效降低导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合。在高电流负载条件下，器件仍能保持稳定的电气特性，适合用于直流-直流变换器、电池管理系统以及高功率便携设备中的开关与功率控制功能。
