FDD6682_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为5毫欧。其低导通电阻有助于在高电流工作条件下有效降低功率损耗和温升，提升系统整体效率。适用于大电流开关电源、电池供电设备、电机驱动及同步整流等应用场合，能够在高频操作中维持良好的电气性能与热稳定性。
