FDMS8848NZ-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:130A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有效降低导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源管理场景。典型应用包括开关电源、同步整流、电机驱动及高密度功率转换系统，在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。
