SIR516DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至6.4毫欧。其低导通电阻有效减少导通损耗，适用于高效率电源转换、电机驱动、电池管理系统及大电流开关应用。器件支持快速开关操作，在高频工作条件下仍能维持较低的温升和稳定的电气性能，适合对功率密度和热管理有较高要求的电子系统。
