R6509END3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10.2A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:550mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），在高温或高频工作条件下表现出优异的稳定性。其导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-8V至@0V（VGS），支持较宽的驱动电压窗口，增强了与不同驱动电路的兼容性。器件采用碳化硅材料，具备高热导率和低开关损耗特性，适用于对能效和功率密度要求较高的电力电子应用场合。
