STP18N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V漏源耐压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为165mΩ，有助于减少导通损耗并提升能效。栅源电压（VGS）支持-10V至@5V范围，确保驱动可靠性与开关稳定性。采用碳化硅材料，具备优异的高温工作性能和快速开关特性，适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用涵盖高压直流变换、大功率开关电源、可再生能源逆变系统及高密度电源模块，适合对热管理和功率密度有较高要求的电路设计。
