FDD6682_NL-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其高电流承载能力与优异的导通特性，使其适用于大电流电源转换、高效开关电路以及对热管理要求较高的紧凑型电子设备中。器件在高频开关条件下仍能保持稳定的电气性能，适合用于需要高效率与高可靠性的电力电子应用。
