STF24N65M2_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:11A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达11A，导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下具有较低的导通损耗和优异的热性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备等对能效和可靠性要求较高的场合。
