SIR846DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为6.4毫欧，适用于高效率电源管理与大电流开关场合。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件在高频开关操作中表现出良好的动态特性，适合用于对热性能和空间布局有较高要求的电子设备中。
