PSMP050N10NS2_T0_00601_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流能力与100V的漏源击穿电压，导通电阻低至4.1毫欧。其低RDS(ON)有助于减少导通损耗，在高电流工作条件下维持较高的能效。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换场景，可有效支持高频开关操作，同时降低系统整体功耗。结构设计兼顾稳定性和响应速度，适合用于各类高效能电子设备中的功率管理模块。
