STP18N65M2-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:306mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为306mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统，如服务器电源、可再生能源转换装置及高频DC-DC变换器等场合。
