TK14A65W5,S5X_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备15A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性。适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及各类中高功率电能处理场合，能够在紧凑布局中实现良好的散热性能与电气可靠性。
