TSM032NH04CR RLG_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:130A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。如此低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适合用于高效率、大电流的电源管理、同步整流及电机驱动等场合。其电气参数特性使其在频繁开关或持续高负载运行条件下仍能维持良好的热稳定性和可靠性，适用于对体积与性能均有较高要求的电子系统。
