IPP045N10N3GHKSA1-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻使其在大电流导通状态下功耗较低，有助于提升系统整体效率。器件适用于高效率电源转换、电机驱动和高频开关电路等应用，在需要高可靠性和稳定电气性能的场合中表现良好。
