RJK0353DPA-01#J0B_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.3毫欧。较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。其电气特性适合用于高频率开关操作，可应用于电源管理、电池供电设备、电机控制及各类高效能电子系统中，在有限空间内实现良好的热性能与可靠性。
