NVMFS5C426NWFET1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:219A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:1.2mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧，可承载高达219A的连续漏极电流（ID）。其超低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，适用于高效率、大电流的开关应用。器件在高频操作下保持良好的开关特性，适合用于电源管理、电机控制及高密度功率转换等场景，满足对热性能与电气稳定性要求较高的设计需求。
