IAUC100N10S5N040ATMA1_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至3.6毫欧。其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗，在高电流工作条件下维持较低的温升。适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统、电机驱动电路以及高频开关应用。器件在保持快速开关特性的同时，提供稳定的电气性能，适合用于需要高功率密度与可靠运行的电子设备中。
