FF06030J-7_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:73A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为73A，最大漏源电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具有低开关损耗和高耐温特性，适合用于高效率、高频率的电力电子系统，例如数据中心电源、光伏逆变器以及大功率快充装置等场景，能够有效支持紧凑型高能效设计。
