SICW025N065H4-BP-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压（VGS）范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压和大电流条件下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能。其宽VGS范围提升了驱动电路的适配能力，适用于对效率、热管理和功率密度有较高要求的电源转换及高频电力电子应用。
