G3F33MT06K-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻仅为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。其低导通电阻与高耐压特性使其在高频开关应用中表现出优异的效率和热性能，适用于高功率密度的电源转换、可再生能源系统及各类高效电能管理设备。
