IMZA65R020M2HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:108A 参数2：VDSS:750V 参数3：RDON:20mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流，漏源击穿电压达750V，导通电阻为20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强和低导通损耗特性，在高频开关应用中表现出优异的效率与热稳定性。适用于高功率密度电源、可再生能源转换系统及各类高效电力电子装置，能够有效降低系统能耗并提升整体性能表现。
