G3F33MT06J-TR-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:73A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至@5V，具备良好的开关特性与热稳定性。器件结构利用碳化硅材料优势，在高频工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
