GSJU6520_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为20A，最大漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为160mΩ，栅源驱动电压范围VGS为-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热管理要求较高的高频开关场景。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，适合用于电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子模块中。
