GC180N65D8_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高电压、高频率工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对能效和体积有较高要求的电源转换场景。其电气参数支持在严苛电压环境下可靠运行，同时有助于简化散热设计并提升系统整体效率。
