SI7388DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧。器件采用标准封装结构，适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。其低导通电阻有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于各类中低电压开关电路中，如直流-直流转换器、负载开关及电池供电设备中的功率控制模块。
