SI7440DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及5.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻可有效降低导通状态下的功率损耗，适用于高效率、大电流的开关应用场景。典型用途包括直流电源管理、电机控制、电池充放电电路及各类需要低损耗功率开关的电子系统，能够在频繁开关和持续负载条件下保持稳定性能。
