STF21N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:11A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为165mΩ，栅源电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于各类高电压、中等电流的电源管理与能量转换应用。
