V20202G-M3/4W-HXY_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:200V 参数3：VF:0.92V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）达200V。其正向压降（VF）为0.92V，在维持较低导通损耗的同时支持较高电压应用；反向漏电流（IR）为20μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、双路输出电源及对电压耐受性要求较高的电力转换电路。
