GSJH65R290_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:306mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有9A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为306mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对体积和能效有较高要求的电力电子设备。
